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SK海力士纽约450亿美元NAND工厂项目受阻

2 篇报道1 个报道来源2 小时前更新

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AI 综述

据路透报道,SK海力士位于美国纽约州、投资450亿美元的NAND芯片工厂计划受阻。 报道未说明受阻的具体原因及后续安排,尚无进一步消息。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

11月4日
  1. 金十数据·快讯
    Refinitiv:SK Hynix 纽约州 450 亿美元 NAND 芯片工厂项目遭遇阻碍

    据 Refinitiv 报道,SK Hynix 位于纽约州、投资 450 亿美元的 NAND 芯片工厂项目遭遇阻碍。原文未披露受阻的具体原因及后续安排。

  2. 金十数据·快讯
    路透:SK海力士纽约州450亿美元NAND芯片工厂计划受阻

    据路透报道,SK海力士在美國纽约州投资450亿美元建设NAND芯片工厂的计划受阻。

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