美光称暂不采用4F²存储技术，转向3D DRAM
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美光称暂不采用4F²存储技术，转向3D DRAM
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AI 综述
美光科技首席技术与产品官斯科特·德波尔表示，公司评估4F²存储技术已超过20年，目前没有采用计划，将继续推进现有技术路线，并重点发展下一代3D DRAM。 德波尔称，4F²技术更复杂、成本更高，实际优势有限，而3D DRAM更具发展潜力。 这一表态意味着美光在存储技术路线上暂不跟进4F²方向，转而押注3D DRAM。
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最新进展10月22日 03:52
Micron 表态不采用 4F² 存储技术，将推进 3D DRAM报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- 金十数据·快讯Micron 表态不采用 4F² 存储技术，将推进 3D DRAM
Micron 首席技术官 Scott DeBoer 表示，公司评估 4F² 存储技术已超 20 年，目前没有采用计划，认为其更复杂、成本更高且实际优势有限。Micron 将继续现有路线图，重点推进下一代 3D DRAM 研发。
- 金十数据·快讯美光称暂不采用4F²存储技术，将继续推进3D DRAM
美光科技首席技术与产品官斯科特·德波尔表示，公司评估4F²存储技术已超过20年，目前没有采用计划，将继续推进现有技术路线并重点发展下一代3D DRAM。他认为4F²技术更复杂、成本更高，实际优势有限，而3D DRAM更具发展潜力。
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