三星预计2027年大幅增加存储芯片资本支出
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三星预计2027年大幅增加存储芯片资本支出
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AI 综述
三星电子表示，预计2027年将大幅增加存储芯片资本支出。这一表述由三星电子作出，指向2027年的存储芯片资本开支方向，未披露具体金额或增幅。 该预期目前仅为三星电子的预告，报道未说明其依据或已确定的投资安排。
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最新进展10月29日 09:42
三星电子预计 2027 年大幅增加存储芯片资本支出报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月29日
- 金十数据·快讯精选每日存储市场要闻：高盛看涨DRAM至2028年，三星HBM已售罄并大幅增加资本开支
高盛称DRAM价格或持续上涨至2028年上半年，明年HBM市场收入料增超230%；三星拟增六成资本开支，2027年HBM产品已售罄，芯片利润仍不及市场预期。其他要点包括SK海力士两年回购规模或达股本28%、佰维存储三季度净利润16.02亿元同比增长525.34%、前英特尔CEO基辛格押注绕开EUV光刻的Z2RAM拟4年内送样。
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