兆易创新：利基型存储供应紧张，DRAM价格预计高位维持

兆易创新发布投资者关系活动记录表称，AI快速发展带动存储芯片需求高增，叠加主要厂商产能收缩或转移、退出利基市场，利基型存储整体供应紧张，利基型DRAM供需虽缓和但仍短缺，价格预计将在高位维持一段时间。NOR Flash 方面，预计大容量产品价格一段时期内温和上涨，中小容量价格保持稳定；SLC NAND Flash 因产能释放周期较长，供应短缺格局将持续较长时间。

兆易创新在机构调研中表示，定制化存储及利基型 DRAM 业务均有良好发展，今明两年 DRAM 板块收入仍将主要由利基型 DRAM 业务贡献。定制化存储业务客户导入与重点项目落地推进顺畅，预计后续有望步入快速增长通道。

兆易创新在机构调研中表示，AI带动存储芯片需求高增叠加主要厂商产能收缩或转移，利基型存储整体供应紧张。NOR Flash大容量价格温和上涨，SLC NAND Flash因产能释放周期较长供应短缺格局将长期持续，利基型DRAM涨价已影响消费电子需求但价格仍将在高位维持，MCU价格预计温和上涨。

兆易创新（603986.SH）在投资者关系活动记录表中表示，利基型DRAM产品价格大幅上涨后，消费电子需求已受到影响，供需态势虽有缓和但仍短缺。整体产能供给仍然有限，预计价格仍将在高位维持一段时间。