Groq拟在下一代芯片用3D堆叠DRAM替代SRAM
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Groq拟在下一代芯片用3D堆叠DRAM替代SRAM
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AI 综述
Groq正考虑在下一代芯片中采用三维堆叠DRAM封装技术，以DRAM替代现有的SRAM。 据业内人士分析，此举意在摆脱以SRAM为中心的芯片设计，大幅提升芯片容量。SRAM速度快但容量有限，DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。
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最新进展10月21日 14:57
消息称 Groq 计划将 3D 堆叠式 DRAM 封装技术应用于下一代芯片报道时间线
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10月21日
- 东方财富·7x24消息称 Groq 计划将 3D 堆叠式 DRAM 封装技术应用于下一代芯片
Groq 正考虑在下一代芯片中采用三维堆叠 DRAM 封装技术，以 DRAM 替代现有的 SRAM。业内人士认为，此举意在摆脱以 SRAM 为中心的芯片设计，大幅提升芯片容量。SRAM 速度快但容量有限，DRAM 速度相对较慢但更适合实现大容量芯片。
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