铭芯启睿1Gb RRAM芯片泰山一号流片

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai2026）”流片，目前正推进芯片验证。 该芯片基于1TnR技术路线，采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量1Gb，存储密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。其中1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。 流片完成仅代表芯片制造环节走通，实际性能与可靠性仍待验证结果确认。

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