英特尔CTO称全球尖端晶圆产量增长上限约为两倍
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英特尔CTO称全球尖端晶圆产量增长上限约为两倍
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英特尔首席技术官普什卡·拉纳德表示,即便资金充足,全球尖端晶圆产量也难以扩大十倍,现实增长上限约为两倍。 他称,AI算力过去十年约以每年三倍的速度增长,但先进芯片制造所需的关键设备、洁净室和晶圆厂规模正在成为新的产能天花板。
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最新进展10月23日 08:36
英特尔CTO:全球尖端晶圆产量增长上限约为两倍报道时间线
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10月23日
- 东方财富·7x24精选英特尔CTO:全球尖端晶圆产量增长上限约为两倍
英特尔首席技术官普什卡·拉纳德表示,即便资金充足,全球尖端晶圆产量也难以扩大十倍,现实增长上限约为两倍。他指出AI算力过去十年约以每年三倍速度增长,但先进芯片制造所需的关键设备、洁净室和晶圆厂规模正在成为新的产能天花板。
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