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三星、SK海力士计划升级中国工厂闪存堆叠层数
据报道，消息人士称，三星计划到2027年使其中国西安工厂转向生产286层闪存芯片；SK海力士拟在中国大连工厂生产240层及以上层数的芯片。
AI 导读
消息人士称，三星计划到2027年使其中国西安工厂转向生产286层闪存芯片，SK海力士拟在中国大连工厂生产240层及以上层数的芯片。
推荐理由
两家存储厂商在华工厂的层数升级计划，反映NAND产能布局与堆叠层数竞赛的推进节奏。
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