清溢光电控股子公司拟投资不超15亿元建设高端半导体掩膜版生产基地三期

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟投资不超过15亿元，建设高端半导体掩膜版生产基地三期。项目主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，建设地点为佛山市南海区丹灶镇，建设期36个月，预计2026年12月开工，资金为自有或自筹资金，不涉及募集资金。