英飞凌成功在300mm碳化硅晶圆上制造功率器件，碳化硅进入12英寸时代

英飞凌宣布成功在300mm（12英寸）碳化硅晶圆上制造出功能性功率器件，称其为全球首家在全规模半导体晶圆厂环境中实现该突破的企业。12英寸晶圆面积为8英寸的2.25倍，可共享12英寸芯片先进制程，有助于降低碳化硅芯片成本。这是继天岳先进2024年11月发布300mm N型碳化硅衬底后产业链的又一进展，业内认为上游衬底企业在晶体生长、加工和良率上的能力将成为竞争关键。