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长鑫存储 4F² DRAM 架构取得进展,年底将推出新一代 DDR5 RDIMM

长鑫技术新突破:4F²架构产品预计年底亮相

AI 导读

长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累,并宣布预计年底推出融合上述技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。

推荐理由

长鑫存储披露 4F² DRAM 架构与混合键合进展,并给出年底 DDR5 RDIMM 产品的落地时间点。

来源:iTick·财经快讯 · gelonghui.com