长鑫存储宣布年底推出4F²架构DDR5 RDIMM

长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，公司预计年底推出新一代 DDR5 RDIMM 产品，该产品融合 4F² 架构与混合键合技术。 曹堪宇在会上介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累。上述产品为长鑫存储自述的预计推出计划，尚未披露具体规格与量产时间。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。