长鑫科技发布4F² DRAM新架构，海外存储龙头股价回调

长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上公布DRAM器件、4F²架构及混合键合进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，在不依赖EUV光刻的前提下使单胞面积缩减约33%，晶圆位元密度提升30%—50%。