SK海力士推出3D FeNAND技术，实现模拟存内计算

SK海力士公布3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于IEEE。该技术可利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK海力士表示，FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。