英飞凌宣布投资11亿欧元建300毫米氮化镓基地

英飞凌10月27日宣布，将向奥地利工厂投资11亿欧元，在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，目标是实现量产。 按英飞凌说法，该基地面向新一代GaN功率半导体的规模化生产，采用300毫米晶圆，而非现有较小尺寸晶圆。

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