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英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元，目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体
英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元 目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体
AI 导读
英飞凌10月27日宣布，将向奥地利工厂投资11亿欧元，在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地，目标是实现该产品的量产。
推荐理由
英飞凌在奥地利投建300毫米晶圆GaN产线，读者可了解功率半导体产能布局与成本路径的变化。
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