美光弃4F² DRAM路线，转投晶圆键合与3D堆叠

美光科技在技术研讨会上宣布放弃4F² DRAM单元结构，认为该路线不存在具备可量产性的微缩路径，将延续6F²结构并押注晶圆键合与3D堆叠。 按美光公布的路线图，公司计划2027年下半年在爱达荷州博伊西工厂量产1δ DRAM，在1ε节点大规模采用晶圆键合，并在1ζ与1η之间规划两代3D DRAM；同时公布将内存直接堆叠在处理器上方的Vertical HBM。 这一选择与三星电子、SK海力士推进的4F²路线形成分歧。

AI 根据报道生成 · 57 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。