美光放弃4F² DRAM路线，转向晶圆键合与3D堆叠

美光科技在技术研讨会上宣布放弃4F² DRAM单元结构，认为该路线不存在具备可量产性的微缩路径，将延续6F²结构并押注晶圆键合与3D堆叠。按路线图，美光计划2027年下半年在爱达荷州博伊西工厂量产1δ DRAM，在1ε节点大规模采用晶圆键合，并在1ζ与1η之间规划两代3DDRAM。美光同时公布将内存直接堆叠在处理器上方的Vertical HBM，与三星电子、SK海力士推进的4F²路线形成分歧。