三星率先在3D NAND中以钼代钨，钼前驱体新赛道开启
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三星率先在3D NAND中以钼代钨，钼前驱体新赛道开启
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先导科技集团联席总裁侯振富接受采访时称，存储芯片行业正推进以钼代钨的材料切换，即在3D NAND闪存工艺中用金属钼替代传统钨作为字线互连材料，这一刚性切换开启了钼前驱体新赛道。 据其介绍，三星已在286层3D NAND上率先完成钨到钼的切换，SK海力士在375层节点上紧密跟进。
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最新进展11月7日 12:25
先导科技集团侯振富：三星、SK海力士推进以钼代钨，钼前驱体赛道开启报道时间线
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11月7日
- 东方财富·7x24精选先导科技集团侯振富：三星、SK海力士推进以钼代钨，钼前驱体赛道开启
先导科技集团联席总裁侯振富在接受采访时表示，以钼代钨指在 3D NAND 闪存工艺中用金属钼替代传统钨作为字线互连材料，这一刚性切换正在开启钼前驱体新赛道。三星已在 286 层 3D NAND 上率先完成钨到钼的切换，SK 海力士在 375 层节点上紧密跟进。
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