长鑫科技基于4F²架构的第六代DRAM平台完成工程样片验证

长鑫存储 10 月 30 日在三季度业绩说明会上表示，基于 4F² 垂直沟道架构的第六代 DRAM 工艺平台已完成工程晶圆验证。按行业惯例，这表明核心性能指标已在真实晶圆上达到设计目标，后续通过客户认证即可进入量产。

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会透露，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。按产业实践，这意味着平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，待客户端验证完成后可进入规模量产阶段。

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会披露，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证，并首次宣布该平台基于4F²垂直沟道DRAM架构。工程样片验证完成意味着核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，客户端验证后可进入规模量产。长鑫此前表示，预计年底将面向服务器领域推出融合4F²技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫科技（688825.SH）10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于4F2架构，此前其仅在学术论坛上介绍过该架构进展。