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长鑫存储第六代 4F² 垂直沟道 DRAM 平台完成工程晶圆验证
ChangXin completes engineering wafer validation for 6th‑gen 4F^2 vertical‑channel DRAM platform
AI 导读
长鑫存储 10 月 30 日在三季度业绩说明会上表示，基于 4F² 垂直沟道架构的第六代 DRAM 工艺平台已完成工程晶圆验证。按行业惯例，这表明核心性能指标已在真实晶圆上达到设计目标，后续通过客户认证即可进入量产。
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