中信证券提示存储股机会，称4F²影响有限

中信证券指出，全球存储芯片股自10月以来波动加剧、明显跑输其他板块，市场关注点转向长鑫科技 4F² DRAM 工艺进展。投资者担心中国晶圆厂在高毛利服务器 DDR5 上取得突破，会削弱海外供应商基于产能的定价权；但 4F² 仍处早期验证阶段，中信证券认为中短期行业影响有限，建议关注 HDD、DRAM 和 NAND 标的。

中信证券研报建议关注 HDD、DRAM、NAND 赛道中公司的投资机会。研报称近期全球存储芯片股价波动加剧，10 月以来表现显著弱于其他板块，除宏观因素扰动外，产业界对长鑫科技 4F² 技术进展更为关注。目前 DRAM 仍以 6F² 单元结构为主，4F² 技术落地需看三星电子和长鑫科技进展，仍处早期验证阶段，对中短期存储产业影响相对较小。

中信证券研报指出，10月以来全球存储芯片股价波动加剧、表现显著弱于其他板块，市场关注长鑫科技4F²技术进展，担心中国本土晶圆厂在服务器DDR5市场形成技术破局。目前DRAM仍以6F²单元结构为主，4F²技术处于早期验证阶段，中短期对存储产业影响相对较小，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。

中信证券研报建议关注 HDD、DRAM、NAND 赛道中公司的投资机会。研报指出，目前 DRAM 技术仍以 6F2 单元结构为主，4F2 技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展，该技术仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，对中短期存储产业影响相对较小。