三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产HBM基础芯片

据报道，三星电子将采用台积电的3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片。这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作，报道称此举源于英伟达的标准化要求。