三星接受英伟达要求，NVHBM基底裸片改用台积电3纳米

据业界消息人士，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，核心芯片则采用第六代DRAM技术制造。

据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电3nm工艺为NVIDIA下一代定制HBM生产基片，这是三星与台积电首次在HBM制造环节合作。业内消息称，NVIDIA已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基片上采用台积电工艺，核心die采用第六代DRAM。

据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星经内部评估后接受了这一要求，但标准HBM及其他客户定制产品仍自主生产，同时评估自有代工厂在台积电产能不足时承接NVHBM基底裸片的可能。