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韩媒：三星将采用台积电3nm工艺生产NVIDIA下一代HBM基片
Korean media: Samsung to use TSMC 3nm to make NVIDIA next‑gen HBM base wafers
AI 导读
据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电3nm工艺为NVIDIA下一代定制HBM生产基片，这是三星与台积电首次在HBM制造环节合作。业内消息称，NVIDIA已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基片上采用台积电工艺，核心die采用第六代DRAM。
推荐理由
三星在HBM制造环节首次引入台积电3nm，反映NVIDIA对定制HBM基片工艺的统一要求如何牵动存储厂产能安排。
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