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韩媒称三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产NVHBM基底裸片
【韩媒：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片】金十数据10月18日讯，据《首尔经济日报》周日报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。该报援引业界消息人士的话称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。据该公司称，今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片中，旨在实现跨多家内存供应商的标准化实施。据《首尔经济日报》报道，三星在经过内部评估后接受了英伟达的要求，但计划继续采用自主生产模式来生产标准HBM以及面向其他客户的定制产品。该报援引消息人士的话称，三星还在评估，如果需求超过台积电的产能，其自有代工厂是否能够生产NVHBM基底裸片。
AI 导读
据《首尔经济日报》报道，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星经内部评估后接受了这一要求，但标准HBM及其他客户定制产品仍自主生产，同时评估自有代工厂在台积电产能不足时承接NVHBM基底裸片的可能。
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