报道：三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产HBM基底裸片

据业界消息人士，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，核心芯片则采用第六代DRAM技术制造。