长鑫科技发布4F²架构，新一代DDR5 RDIMM预计年底亮相

长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合方向的积累，并宣布预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。该4F²架构的核心是自研VSG垂直包围栅晶体管，采用垂直包围沟道结构以增强栅控、改善漏电与短沟道效应，同时缩小单元面积、提升存储密度。