长鑫科技4F DRAM架构获关键进展，年底推出新一代DDR5 RDIMM

长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，其4F DRAM架构研发取得关键进展，预计年底推出融合该架构及混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构核心是自研VSG晶体管，采用垂直包围沟道结构以提升存储密度，公司自2019年起推进混合键合自主研发，相关公开专利族超300件。