三星HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF跟踪指数盘中涨超2%
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三星HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF跟踪指数盘中涨超2%
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2026年11月13日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)盘中上涨2.03%，该ETF换手1.19%，成交1070.17万元。三星电子HBM工厂提前一年投产。 成分股中，东芯股份涨5.84%，杰华特涨4.87%，寒武纪涨4.50%，概伦电子、盛科通信等跟涨。
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最新进展11月13日 10:10
三星电子HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%报道时间线
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11月13日
- 东方财富·7x24三星电子HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%
截至2026年11月13日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨2.03%，盘中换手1.19%，成交1070.17万元。三星电子HBM工厂提前一年投产。成分股东芯股份上涨5.84%，杰华特上涨4.87%，寒武纪上涨4.50%，概伦电子、盛科通信等跟涨。
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