三星电子HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%

截至2026年11月13日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨2.03%，盘中换手1.19%，成交1070.17万元。三星电子HBM工厂提前一年投产。成分股东芯股份上涨5.84%，杰华特上涨4.87%，寒武纪上涨4.50%，概伦电子、盛科通信等跟涨。