三星得州泰勒二厂将为AMD/英伟达产HBM基础晶圆，产量已订满

据每经新闻报道，三星电子将利用其位于得州泰勒市的第二座晶圆厂，为 AMD 和 NVIDIA 生产高带宽存储（HBM）基底晶圆。该厂预计本月动工，采用先进 2nm 工艺，面积约 270 万平方英尺（约为三星首座美国晶圆厂的 1.5 倍，后者与特斯拉有合同），全部产能据称已被预订，订单主要来自 AMD；设备安装计划于 2029 年 2 月开始，目标 2030 年量产。

据韩国《每日经济新闻》周二报道，三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计于本月正式动工，采用2纳米制程，占地约270万平方英尺，规模约为三星首座工厂的1.5倍；全部产能已获订单，大部分来自AMD。报道预计工厂2029年2月开始安装设备，2030年启动量产。

据韩国《每日经济新闻》援引业界消息人士报道，三星电子将利用位于得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础晶圆，预计本月正式动工。该工厂已获得全部产量的订单，其中大部分来自AMD，采用2纳米工艺，占地约270万平方英尺，约为第一座工厂的1.5倍；设备预计2029年2月开始安装，2030年投入量产，第一座工厂已与特斯拉签订合同。

媒体援引业界消息人士报道，三星电子将利用位于得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础晶圆。该厂已获得全部产量的订单，其中大部分来自AMD，预计本月正式动工，采用2纳米工艺，面积约270万平方英尺，为第一座工厂的1.5倍，第一座工厂已与特斯拉签订合同；设备预计2029年2月开始安装，2030年投入量产。