长鑫科技第六代工艺技术平台完成工程样片验证，基于4F2垂直沟道DRAM架构

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛介绍4F2架构进展，此次是其首次宣布第六代工艺技术平台基于4F2架构；受消息影响，半导体ETF鹏华涨超3%。