传英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM

有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产定制HBM技术NVHBM，核心裸片则采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受这一技术要求。10月19日，三星电子回应称不对涉及客户的事项发表评论。业内人士称，定制基底裸片已成趋势。