三星将在英伟达下一代HBM中采用台积电3纳米工艺

据韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用台积电3纳米工艺，以统一制造流程、保障性能一致。这是三星首次在HBM制造环节与台积电合作，NVHBM基于第七代HBM4E架构开发。