传英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产NVHBM

据一财消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产NVHBM（英伟达定制HBM技术），核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受该技术要求。三星电子10月19日回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。