三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

据报道，三星电子计划采用台积电3纳米工艺生产英伟达下一代定制HBM基底裸片。英伟达为保证性能一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中统一采用台积电3纳米工艺。此举将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。