金十数据·快讯·· 11 小时前同新闻
传英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM
【英伟达要生产定制化NVHBM？业内人士称定制基底裸片已成趋势】金十数据10月19日讯，有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性，10月19日， 三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。
AI 导读
有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产定制NVHBM，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受这一技术要求。三星电子10月19日回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。业内人士称，定制基底裸片已成趋势。
同一新闻，精选展示《三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产HBM基础芯片》
来源：金十数据·快讯 · jin10.com